SIST EN 61829:2016

Oznaka standarda: SIST EN 61829:2016
Koda projekta: 24024
Organizacija: SIST
Naslov (angleški): Crystalline silicon photovoltaic (PV) array - On-site measurement of I-V characteristics
Naslov (slovenski): Fotonapetostno polje iz kristalnega silicija – Merjenje karakteristike I-U na mestu vgradnje
Če kupite standardizacijski dokument v .pdf formatu prek spletne prodaje, vam nudimo 20% popust pri spodnji ceni brez DDV. Cenik SIST
Dokumenti
Ime Jezik Status Cena Dodaj v košarico
SIST EN 61829:2016 angleški jezik Active SIST-E: 48.00 EUR
PDF
Papir
Tehnični odbor: PVS - Fotonapetostni sistemi
ICS: 27.160
Status: Objavljen
Objavljen: 01-apr-2016
Refer. št. objave: Sporocila 2016-04
Področje projekta (angleško): This International Standard specifies procedures for on-site measurement of flat-plate photovoltaic (PV) array characteristics, the accompanying meteorological conditions, and use of these for translating to standard test conditions (STC) or other selected conditions. Measurements of PV array current-voltage (I-V) characteristics under actual on-site conditions and their translation to reference test conditions (RTC) can provide: • data for power rating or capacity testing; • verification of installed array power performance relative to design specifications; • detection of possible differences between on-site module characteristics and laboratory or factory measurements; • detection of possible performance degradation of modules and arrays with respect to onsite initial data; • detection of possible module or array failures or poor performance. For a particular module, on-site measurements translated to STC can be directly compared with results previously obtained in a laboratory or factory for that module. Corrections for differences in the spectral or spatial response of the reference devices may need to be assessed as specified in IEC 60904. On-site array measurements are affected by diode, cable, and mismatch losses, soiling and shading, degradation due to aging, and other uncontrolled effects. Therefore, they are not expected to be equal to the product of the number of modules and the respective module data. If a PV array is formed with sub-arrays of different tilt, orientation, technology, or electrical configuration, the procedure specified in this International Standard is applied to each unique PV sub-array of interest.
Področje projekta (slovensko): Ta mednarodni standard določa postopke za merjenje karakteristik fotonapetostnega polja (PV) na ploščati ploščici na mestu vgradnje ter spremljevalne vremenske pogoje in njihovo uporabo za pretvarjanje v standardne pogoje preskušanja (STC) ali druge izbrane pogoje. Meritve karakteristik tok-napetost (I-V) fotonapetostnega polja pod dejanskimi pogoji na mestu vgradnje in njihova pretvorba v referenčne pogoje preskušanja (RTC) lahko omogoči naslednje: • podatke o nazivni moči ali preskusni zmogljivosti; • preverjanje zmogljivosti moči montiranega polja glede na specifikacijo zasnove; • zaznavanje morebitnih razlik med karakteristikami modulov na mestu vgradnje in laboratorijskimi ali tovarniškimi meritvami; • zaznavanje morebitnega slabšega delovanja modulov in polj glede na začetne podatke na mestu vgradnje; • zaznavanje morebitnih okvar modulov ali polj ali slabega delovanja. Meritve na mestu vgradnje za določeni modul, ki so pretvorjene v standardne pogoje preskušanja, je mogoče neposredno primerjati z rezultati za zadevni modul, ki so bili predhodno pridobljeni v laboratoriju ali tovarni. Korekcije za razlike v spektralnem ali prostorskem odzivu referenčnih naprav je morda treba oceniti, kot je opredeljeno v standardu IEC 60904. Na meritve polja na mestu vgradnje vplivajo dioda, kabel in izgube zaradi neujemanja, umazanost in senčenje, slabšanje zaradi staranja ter drugi nenadzorovani učinki. Zato se od meritev ne pričakuje, da bodo enake zmnožku števil modulov in ustreznim podatkom o modulih. Če se fotonapetostno polje oblikuje s podpolji z različnim naklonom, usmeritvijo, tehnologijo ali električno konfiguracijo, velja za vsako zadevno edinstveno podpolje fotonapetostnega polja postopek, ki ga določa ta mednarodni standard.
Povezava na standarde
Povezava Ime Datum
Nadomešča SIST EN 61829:2001 - Fotonapetostno polje iz kristalnega silicija – Merjenje karakteristike I-U na mestu vgradnje 01-apr-2016


• Slovenski standardi SIST s cenovnim razredom AC so popravki standardov in so v večini primerov brezplačni.

• Slovenski standardi SIST s cenovnim razredom AP so privzeti tuji standardi, katerih sestavni del je izvirni standard, ki ga moramo pridobiti pri izdajatelju v tujini. Naročilo pošljite na: prodaja@sist.si.

Najbolje prodajani standardi